Библиотека диссертаций Украины Полная информационная поддержка
по диссертациям Украины
  Подробная информация Каталог диссертаций Авторам Отзывы
Служба поддержки




Я ищу:
Головна / Фізико-математичні науки / Фізика напівпровідників і діелектриків


Грушка Олена Григорівна. Вплив домішок на електричні та оптичні властивості кристалів Hg3In2Te6: дисертація канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2003.



Анотація до роботи:

Грушка О. Г. Вплив домішок на електричні та оптичні властивості кристалів Hg3In2Te6. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. - Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2003.

На основі результатів рентгеноструктурних, магнітних, електричних і оптичних вимірювань властивостей кристалів Hg3In2Te6, легованих Fe, Mn, Cr, Gd, Si, Sn, Cu до концентрацій 10181020 см-3 встановлено, що домішки створюють у них характерні внутрішні поля, напруженість яких збільшується з ростом вмісту домішки. Випадковий характер цих полів приводить до великомасштабних флуктуацій потенціалу, які визначають особливості електричних і оптичних властивостей матеріалу. Показано, що квазівласний характер провідності зумовлюється перенесенням електронів і дірок по відповідних рівнях протікання. Встановлено, що причиною ефекту самокомпенсації домішок і стабілізації рівня Фермі поблизу середини забороненої зони є виникнення при легуванні двох систем рівнів протилежно заряджених локалізованих центрів донорного і акцепторного типу. Спостережені явища (розмиття країв зон провідності і валентної з утворенням хвостів щільності станів, зміна показника заломлення, діелектричної проникності та поляризаційних констант) пов’язані з додатковим розупорядкуванням, яке супроводжується деформацією решітки і більш сильною локалізацією електронів.

Установлено закономірності цілеспрямованого керування оптичними та діелектричними властивостями, що розширює можливості практичного використання матеріалу Hg3In2Te6.

Публікації автора:

  1. Грушка О. Г., Грушка З. М., Фрасуняк В. М., Герасименко В. С. Поведение примеси марганца в Hg3In2Te6 // ФТП. -1999. –Т. 33, вып. 12. –С. 1416-1419.

  2. Грушка О. Г., Горлей П. М., Бесценный А. В., Грушка З. М. Влияние легирования гадолинием на физические свойства Hg3In2Te6 // ФТП. -2000. –Т. 34, вып. 10. –С. 1197-1200.

  3. Грушка О. Г., Горлей П. М., Бахтінов А. П., Фрасуняк В. М. Вплив домішки заліза на властивості Hg3In2Te6 // Укр. фіз. ж. -2001. –Т. 46, №3. –С. 365-367.

  4. Горлей П. Н., Грушка О. Г., Фрасуняк В. М. Локализованные состояния в соединении Hg3In2Te6 // ФТП. -2002. –Т. 36, вып. 5. –С. 533-536.

  5. Горлей П. М., Грушка О. Г., Фрасуняк В. М. Електричні властивості кристалів Hg3In2Te6, легованих гадолінієм // Укр. фіз. журн. -2002. –Т. 47, № 6. –С. 564-567.

  6. Gorley P. M., Grushka O. G., Grushka Z. M. Influence of the potential fluctuations on the conduction of In2Te3 and Hg3In2Te6 compounds // Journal of physical studies. -2002. –V. 6, № 1. –P. 83-85.

  7. Горлей П. Н., Грушка О. Г. Примесная зона в кристаллах Hg3In2Te6, легированных кремнием // ФТП. –2003. –Т. 37, вып. 2. –С. 176-179.

  8. Горлей П. М., Грушка О. Г., Грушка З. М. Влияние примеси гадолиния на прозрачность и отражательную способность кристаллов Hg3In2Te6 // ФТП. –2003. – Т. 37, вып. 3. –С. 272-275.

  9. Грушка З. М., Грушка О. Г., Вольт-амперні характеристики гетеропереходів SnS2/Hg3In2Te6 // Наук. вісник Чернівецького університету. -1998. –Вип. 30. С. 61-66.

  10. Грушка О. Г., Горлей П. М., Грушка З. М., Іваночко М. М. Кінетичні ефекти у власному напівпровіднику Hg3In2Te6 при врахуванні розсіяння носіїв заряду на нейтральних центрах і акустичних фононах // Наук. вісник Чернівецького університету. -2000. –Вип. 79. –С. 15-18.

  11. Grushka Z. M., Grushka O. G. Impurity behavior in the Hg3In2Te6 semiconductor // Abstract booklet of Third Intern. School-confer. “Physical problems in material science of semiconductors”. Chernivtsy. -1999. –P. 104.

  12. Грушка О. Г. Перколяційна електропровідність в сильних електричних полях в кристалах In2Te3 і Hg3In2Te6 // Матеріали студ. наук. конф. Чернівці. -2000. –С. 190.

  13. Grushka O. G., Gorley P. N. Optical filter based on Hg3In2Te6 semiconductor compound // Second Inter. Young Scientist Conference: Scientific Problems of Optics and High Technology Material Science. Kyiv, Ukraine. -2001. –P. 52.

  14. Grushka O. G., Grushka Z. M., Gorley P. M. Optical constants of Hg3In2Te6 compound // XXXI Intern. School on the Physics of Semiconducting Compounds. Jaszowiec, Poland. -2002. –P. 93.

  15. Gorley P. N., Grushka Z. M., Grushka O. G., Makhniy V. P., Vorobiev Y.V., Gonzalez-Hernandez J., Horley P. P. Electro-physical properties of the Hg3In2Te6 semiconductor compound // 6th Intern. Workshop on Expert Evaluation Control of Compound Semiconductor Materials. Technologies. Budapest, Hungary. -2002. –P. 214.

  16. Grushka O. G., Gorley P. M. Influence of structural disorder of Hg3In2Te6 crystals in impurity self-compansation effect // Intern. Conference “Physics of Electronic Materials”. Kaluga, Russia. –2002. –Р. 177.

  17. Горлей П. М., Грушка О. Г., Волощук А. Г., Грушка З. М. Характеристики гетеропереходів In2S3- Hg3In2Te6 // Друга науково-технічна конференція “Приладобудування 2003: стан і перспективи”. Київ, Україна. –2003. –С. 60-61.

  18. Волощук А. Г., Білоголовка В. Т., Грушка О. Г., Моргун О. В., Нагірна О. В. Адсорбційні сульфідні плівки на поверхні монокристалів Hg3In2Te6 // IX Міжн. конф. “Фізика і технологія тонких плівок”. Івано-Франківськ, Україна. –2003. –Т.2, С.81-82.