Анотація до роботи:
Гуцуляк Б.І. “Структурні зміни в кристалах кремнію опромінених високоенергетичними частками за даними Х-променевої дифрактометрії та внутрішнього тертя ” - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла. - Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2005. Встановлено, що в процесі витримки при кімнатній температурі протягом дев’яти років зразки опромінені високоенергетичними електронами (Е~18 МеВ) дозами 3.6 та 5.4 кГрей стали більш однорідними за структурою, ніж дозами 1.8 і 2.7 кГрей. Збільшення енергії опромінення призводить до ефективного зменшення структурної неоднорідності за об’ємом зразків та росту (до 50%) концентрації дрібних за розмірами мікродефектів В-типу (преципітатів SiOx) внаслідок релаксації пружних макродеформаційних полів. Визначено зміну концентрації, розмірів і спектру мікродефектів у кристалах кремнію, опромінених високоенергетичними частками в умовах тривалого природного старіння . Виявлено температурний гістерезис внутрішнього тертя і ефективного модуля зсуву в неопромінених і серії опромінених зразків кремнію. Поява петлі гістерезису пов’язана із взаємодією генетичних мікродефектів з точковими дефектами в кристалі і їх несиметричним розподілом у процесі нагрівання–охолодження зразків. Встановлено, що збільшення дози опромінення високоенергетичними частками призводить до зменшення петлі гістерезису (площі), а при дозі електронів в 3,6 кГрей до його повного зникнення, що зумовлене збільшенням числа стоків для точкових дефектів у вигляді дрібних за розмірами (~1-5 мкм) мікродефектів. | 