Анотація до роботи:

Сусь Б.Б. Перебудова енергетичних зон і закономірності тензорезистивних ефектів у сильно деформованих кристалах Ge i Si. Рукопис.

Дисертація на здобуття вченого ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика діелектриків і напівпровідників. Національний університет ім. Тараса Шевченка. Київ, 2006 р.

У роботі досліджені тензорезистивні ефекти в Si і Ge n- і р-типу в умовах напрямленого сильного тиску у зв‘язку зі змінами енергетичної структури кристалів. Показано, що домінуючими механізмами тензоефектів є додаткова деформаційно-індукована іонізація дефектів технологічного походження, які виникають внаслідок відпалу кристалів після нейтронного легування, а також після опромінення g-квантами.

Досліджено механізми деформаційно-індукованого переходу метал-ізолятор у вироджених кристалах Ge(Sb) n-типу в умовах екстремального одновісного тиску в напрямку [100]. Встановлено, що вихідною причиною деформаційно-індукованих фазових переходів метал-ізолятор в n-Ge(Sb) є відповідна перебудова зони провідності Ge, яка характеризується збільшенням ефективної маси вільних електронів.

Залежність тензоопору кристалів р-Si від тиску в умовах сильного одновісного тиску визначається як ефектом переселення носіїв із зони “легких” у зону “важких” дірок, що приводить до збільшення ефективних мас дірок і опору, так і перебудовою валентної зони і пов'язаним з цим зменшенням опору. Встановлено, що в сильно легованому р-Si залежність опору від одновісного тиску у певних напрямках має експоненціальний характер, що підтверджує можливість стрибкового характеру провідності.