Анотація до роботи:

Ірина Ткаченко. Механізми дефектоутворення та люмінесценції у бездомішкових і легованих телуром кристалах селеніду цинку. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – Фізика напівпровідників і діелектриків. – Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2005.

Дисертація присвячена експериментальному і теоретичному дослідженню механізмів утворення власних точкових дефектів (ВТД) та вивченню їх ролі у формуванні фізичних властивостей бездомішкових та легованих телуром кристалах селеніду цинку. Ізовалентна домішка Те вводилась у кристали як у процесі росту до 0,1 мольн. проц., так і дифузією телуру у замкнутому об’ємі з парової фази. Зміна ансамблю ВТД у бездомішкових зразках здійснювалась шляхом ізотермічних відпалів підкладинок у вакуумі та парі власних компонент. Аналітичні розрахунки базується на кристалохімічному підході з використанням понять електронейтральності та ефективного заряду, а також методі квазіхімічних реакцій. Встановлено, що дефектоутворення у розплавних кристалах стехіометричного складу відбувається за схемою Шотткі, причому при 300К у них домінують прості дефекти і та їх асоціати (). Останні відповідають за формування оранжево-червоної смуги () з еВ. Показано, що у спектрах люмінесценції кристалів, легованих Те у процесі росту, домінує смуга з еВ., яка зумовлена асоціатом (). Відпал таких зразків у парі повертає максимум випромінювання до 1,9 еВ, а за його формування відповідальні центри . Блакитна (В) смуга об’єктів досліджень зумовлена рекомбінацією через рівні , та міжзонними переходами, яка є найбільше інтенсивною у зразках, відпалених у вакуумі та . Експериментально виявлено та теоретично обгрунтовані умови отримання ефективної зеленої (G) смуги у дифузійних шарах з Те, яка викликана рекомбінацією через рівні .