Библиотека диссертаций Украины Полная информационная поддержка
по диссертациям Украины
  Подробная информация Каталог диссертаций Авторам Отзывы
Служба поддержки




Я ищу:
Головна / Фізико-математичні науки / Фізика напівпровідників і діелектриків


82. Гомоннай Олександр Васильович. Індуковані високоенергетичним опроміненням ефекти у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках: дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. - К., 2004. - 32 с.



Анотація до роботи:

Гомоннай О.В. Індуковані високоенергетичним опроміненням ефекти у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України, Київ, 2004.

Дисертацію присвячено встановленню основних закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості фосфідних та халькогенідних кристалів, зокрема й нанокристалів, а також вивченню фізичних процесів, що відбуваються в них під дією високоенергетичного опромінення. Виявлені індуковані високоенергетичними електронами ефекти розупорядкування кристалічної гратки та зміни процесів оптичного поглинання і випромінювальної рекомбінації в монокристалах GaP, CdS1-xSex. З’ясовані особливості фононних спектрів халькогенідних нанокристалів (CdS1–xSex, Sn2P2S6). Вивчені процеси оптичного поглинання в опромінених високоенергетичними електронами нанокристалах CdS1-xSex у матриці боросилікатного скла, встановлений характер і механізм радіаційно індукованих змін. Отримані нанокристали Sn2P2S6, в тому числі вкрапленими у діелектричні матриці, та з’ясовано вплив розмірного фактору та високоенергетичного електронного опромінення на параметри фазового переходу.