Библиотека диссертаций Украины Полная информационная поддержка
по диссертациям Украины
  Подробная информация Каталог диссертаций Авторам Отзывы
Служба поддержки




Я ищу:
Головна / Хімічні науки / Хімія твердого тіла


Дремлюженко Сергій Григорович. Фізико-хімічні аспекти одержання сплавів та обробки поверхні напівпровідників CdSb, CdTe і твердих розчинів на їх основі : Дис... канд. наук: 02.00.21 - 2009.



Анотація до роботи:

Дремлюженко С.Г. Фізико-хімічні аспекти одержання сплавів та обробки поверхні напівпровідників CdSb, CdTe і твердих розчинів на їх основі. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата хімічних наук за спеціальністю 02.00.21 – хімія твердого тіла. – Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2009.

Дисертацію присвячено фізико-хімічному дослідженню властивостей CdSb, CdTe, їх твердих розчинів; особливостям процесів травлення та отримання високоякісної полірованої поверхні; дослідженню стабільних металічних та оптичних плівкових покриттів на поверхні CdSb.

На основі експериментальних даних термографічного дослідження полікристалів і монокристалів CdSb запропоновано пояснення появи ендотермічних ефектів в області температури плавлення сполуки. Ефект при Т ~ 723 К характерний тільки для термограм знятих на зразках синтезованих і вирощених в умовах де відбулось порушення стехіометричного складу кристалів і не є фіксованим. Ефект при Т = 729 К відповідає плавленню CdSb по типу напівпровідник – напівпровідник. Ендотермічний ефект при температурі Т ~ 737 К відповідає переходу розплаву в металічний.

Комплексом фізико-хімічних досліджень систем CdSb-As, CdSb-FeSb встановлено, що характер взаємодії в цих системах евтектичного типу. Експериментально вперше отримана аномальна залежність мікротвердості від складу кристалів твердого розчину Cd1-xMnxTe, на якій спостерігається два характерні максимуми при х1 = 0,14 та х2 = 0,46.

Виконані термодинамічні розрахунки і побудовані діаграми Пурбе систем CdSb - H2O, MnTe - H2O, ZnTe - H2O, Cd1-xMnxTe - H2O і Cd1-хZnxTe - H2O. На підставі аналізу діаграм Пурбе і потенціометричних досліджень запропоновано механізм поліруючого травлення кристалів CdSb, CdTe та твердих розчинів на його основі в лужних композиціях SiO2 і Br/CH3OH травнику.

Після хімічної поліровки зразків CdTe, CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в Br/CH3OH товщина окисного шару становить 13 30 нм; в розчині на основі K2Cr2O7 - 19,5 39 нм, після хіміко-механічної поліровки – 6,57 нм. Хімічне полірування в розчинах Br/CH3OH та травниках на основі K2Cr2O7 носить виражений селективний характер з утворенням збагаченого телуром приповерхневого шару.

Розроблена технологія нанесення металізуючих покриттів на підкладки CdSb з попередньою хіміко-механічною поліровкою поверхні лужними розчинами на основі колоїдного SiO2. Така обробка забезпечує стабільність оптикного покриття при термоциклюванні в межах 370 77 К при кількості термоциклів 1000. Це дозволило застосувати розроблені двоканальні фільтри для в охолоджуваних фотоприймальних пристроїв ІЧ-техніки, де потрібно забезпечити високу швидкодію при виході на робочий режим.