Библиотека диссертаций Украины Полная информационная поддержка
по диссертациям Украины
  Подробная информация Каталог диссертаций Авторам Отзывы
Служба поддержки




Я ищу:
Головна / Фізико-математичні науки / Фізика твердого тіла


Смоланка Олександр Михайлович. Екситони і фазові переходи в шаруватому сегнетоеластику Cs3Bi2I9 : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / НАН України; Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. - К., 2005.



Анотація до роботи:

Смоланка О. М. Екситони і фазові переходи в шаруватому сегнетоеластику Cs3Bi2I9. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 – фізика твердого тіла. – Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України. – Київ, 2005.

У дисертації представлено результати комплексних експериментальних досліджень кристалів шаруватого сегнетоеластика Cs3Bi2I9 методами низькотемпературної спектроскопії відбивання і комбінаційного розсіювання світла (КРС).

Знайдено фундаментальні оптичні характеристики та побудовано діаграми Арганда 2 = f (1) кристалів Cs3Bi2I9 в моноклінній і гексагональній фазах. Розроблено самоузгоджений метод однозначного поділу складних спектральних контурів на окремі складові шляхом комп’ютерного моделювання дійсної 1(E) і уявної 2(E) частин комплексної діелектричної проникності (E) з урахуванням сингулярностей Ван Хова, що дозволило визначити параметри критичних точок та їх природу.

Вперше для шаруватих кристалів виявлено нетрадиційний температурний зсув краю фундаментального поглинання сегнетоеластика Cs3Bi2I9. Показано, що цей ефект обумовлений належністю даних кристалів до звичайних у моноклінній фазі та шаруватих у гексагональній. Зареєстровано перехідну область в інтервалі температур 150–220 К, що складається з двох областей: гетерофазної (183–220 К) і залишкових внутрішніх напружень у моноклінній фазі (150–183 К); та зміну характеру екситон-фононної взаємодії з ростом температури від слабкої до сильної в околі 150 К. З’ясовано природу ліній КРС і знайдено давидівські дублети. Встановлено належність структурного фазового переходу при ТС=220 К до фазових переходів першого роду, що є близькими до другого. Вперше виявлено гігантський термодинамічний оптичний ефект та дано його пояснення на основі залежності показника заломлення від температури через появу і зміну з температурою параметра порядка (спонтанної деформації xСП (Т)). Запропоновано на основі цього ефекту оптичний аналог транзистора.

У дисертації наведено результати комплексних експериментальних досліджень кристалів шаруватих сегнетоеластиків Cs3Bi2I9, що дозволило виявити нові фізичні ефекти; отримати інформацію про особливості оптичних властивостей, обумовлених екситонними, електронними і фазовими переходами; запропонувати практичні застосування.

1. Розраховано фундаментальні оптичні характеристики та побудовано діаграми Арганда 2 = f (1) кристалів Cs3Bi2I9 в моноклінній (Т=4.2 К; ) і гексагональній (Т=300К; ) фазах. Розроблено самоузгоджений метод однозначного поділу складних спектральних контурів на окремі компоненти на прикладі моделювання дійсної 1(E) та уявної 2(E) частин комплексної діелектричної проникності (E) за певним типом сингулярностей Ван Хова, що дозволило визначити параметри критичних точок і з’ясувати їх природу. Встановлено, що інтенсивна осциляція 2.583 еВ в спектрах відбивання кристалів Cs3Bi2I9 (Т=4.2 К; ) обумовлена дозволеними прямими екситонними переходами n=1, тоді як особливість у вигляді провалу при енергії 2.3 еВ на її довгохвильовому крилі – відбиванням світла від протилежної дзеркальної поверхні зразка, а перегин при енергії 2.67 еВ не відповідає збудженим екситонним станам n=2. Показано, що дві більш короткохвильові смуги 2.971 еВ та 3.087 еВ можна пов’язати з гіперболічними екситонами і міжзонними переходами, відповідно. Оцінено при 4.2 К і ширину прямої забороненої зони (Eg=2.857 еВ) та основні параметри екситонів (Ry*=279 мeB, f=7.510–1, R=1.210–8 с).

2. Вперше для шаруватих кристалів виявлено нетрадиційний температурний зсув краю фундаментального поглинання сегнетоеластика Cs3Bi2I9 і встановлено, що він добре описується формулою Варшні. Показано, що причина цього явища обумовлена належністю даних кристалів до звичайних у низькотемпературній моноклінній фазі та шаруватих у високотемпературній гексагональній. Зареєстровано для Cs3Bi2I9 перехідну область в інтервалі температур 150–220 К. Показано, що вона складається з двох областей: гетерофазної (183–220 К), де співіснують сегнетоеластична і параеластична фази, та області залишкових внутрішніх напружень у сегнетоеластичній моноклінній фазі (150–183 К). Вперше виявлено експериментально явище зміни характера екситон-фононної взаємодії з ростом температури від слабкої до сильної, що супроводжується зменшенням більше ніж вдвічі (від 105.8 см–1 до 47.9 см–1) частоти LO-фононів. Показано, що це явище можна пов’язати з переходом кристала від звичайного до шаруватого в околі 150 К.

3. Встановлено, що лінії в області частот < 105 см–1, 105 см–1 < < 130 см–1 та > 130 см–1 в спектрах КРС Cs3Bi2I9 обумовлені коливаннями молекулярних іонів [Bi2I9]3– як цілого, деформаційними коливаннями міжоктаедричних зв’язків [BiI6]3– – [BiI6]3– в середині біоктаедра [Bi2I9]3– та коливаннями валентних зв’язків Bi – I в октаедрі [BiI6]3–, відповідно. Виявлено ефект вирівнювання інтегральних інтенсивностей ліній 110.6 см–1 і 124.7 см–1 в околі TC=220 К без будь-яких особливостей в поведінці частот цих ліній внаслідок зміни симетрії кристалічної гратки. Не виявлено ні м’якої моди, ні пом’якшення частот. Знайдено дублети у ліній 36.2, 45.2, 61.4, 68.3 і 97.4 см–1 в низькотемпературних спектрах КРС Cs3Bi2I9, відстань між компонентами яких зменшується зі зростанням частот ліній. Показано, що ці дублети є давидівськими, які обумовлені нееквівалентним положенням молекулярних іонів [Bi2I9]3– в моноклінній гратці.

4. Проаналізовано відомі та отримані дані для Cs3Bi2I9 і зроблено висновок про належність сегнетоеластичного фазового переходу при ТС=220 К до фазових переходів першого роду, що є близькими до другого.

5. Вперше виявлено гігантський термодинамічний оптичний ефект, що проявляється як періодичні коливання в часі коефіцієнта відбивання Cs3Bi2I9. Встановлено, що цей ефект обумовлений незначними відхиленнями температури від заданої в термодинамічній системі, проявлення яких в спектрах відбивання сильно підсилюється в точці сегнетоеластичного фазового переходу (ТС=220К). Запропоновано пояснення знайдених оптичних осциляцій на основі моделі, що враховує залежність показника заломлення від температури через появу і зміну з температурою параметра порядка (спонтанної деформації xСП (Т)). Показано, що отримані експериментальні дані добре узгоджується з теоретичними розрахунками професора В. Й. Сугакова.

6. Зареєстровано в Cs3Bi2I9 додаткові оптичні осциляції при температурах 145±5175±5 К, причиною появи яких може бути неструктурний фазовий перехід, що обумовлений переорієнтацією напрямків спонтанної деформації в сегнетоеластичних доменах із-за несумісності доменних стінок і, як наслідок, переорієнтацією оптичних індикатрис окремих доменів.

7. Розроблено експресну неруйнівну оптичну методику виявлення та дослідження фазових переходів у сегнетоеластичних кристалах, що відрізняється високою чутливістю до незначних відхилень температури від заданої в термодинамічній системі. Запропоновано оптичний аналог транзистора на основі виявленого гігантського термодинамічного оптичного ефекту.

Публікації автора:

  1. Лисиця М.П., Моцний Ф.В., Смоланка О.М., Кун С.В., Переш Є.Ю. Низькотемпературні оптичні характеристики монокристалів Cs3Bi2I9 // Укр. фіз. журн. – 2002. – Т. 47, № 12. – С. 1161–1165.

  2. Дорогань В.Г., Лисиця М.П., Моцний Ф.В., Смоланка О.М. Самоузгоджений метод розділення спектрів оптичних функцій на складові // Укр. фіз. журн. – 2003. – Т. 48, № 2. – С. 181–185.

  3. Dorogan V.G., Zhydkov V.O., Motsnyi F.V., Smolanka O.M. Analysis of exciton reflection spectrum of 2H–PbI2 layered single crystals with atomically clean surface // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2003. – Vol. 6, № 3. – P. 346–348.

  4. Motsnyi F.V., Peresh E.Yu., Smolanka O.M. Nontraditional temperature shift of the fundamental absorption edge for layered substance and the ferroelastic phase transition in Cs3Bi2I9 // Solid State Communications. – 2004. – Vol. 131., № 7. – P. 469-471.

  5. Machulin V.F., Motsnyi F.V., Peresh E.Yu., Smolanka O.M., and Svechnikov G.S. Effect of temperature variation on shift and broadening of exciton band in Cs3Bi2I9 layered crystals // Low Temperature Physics. – 2004. – Vol. 30, № 12. – P. 964–967.

  6. Motsnyi F.V., Vuychik M.V., Smolanka O.M., Peresh E.Yu. Phase transition in Cs3Bi2I9 ferroelastic: investigation by Raman scattering technique // Functional materials. – 2005. – Vol. 12, № 3. – P. 491–496.

  7. Смоланка О.М., Вірко С.В., Кун С.В. Моцний Ф.В., Переш Є.Ю, Дослідження оптичних властивостей трьохкомпонентних шаруватих кристалів на основі галогенідів вісмуту // Proc. Xth International Scientific and Technical Conference “Complex Oxides, Chalcogenides and Halides for Functional Electronics”. – Uzhgorod (Ukraine). – 2000, 26-29 September. – P. 91.

  8. Smolanka O. M., Motsnyi F.V. Study of excitonic spectra of layered single crystals on base of bithmuth halides // Proceedings of the International Young Scientists Conference “Scientific Problems of Optics in XXI Century SPO’2000”. – Kyiv (Ukraine), 5-6 October. – 2000. – P. 64.

  9. Smolanka O. M., Lisitsa M.P., Motsnyi F.V., Peresh E.Yu., Kun A.V., Rushchanskii K.Z. The theoretical and optical studies of Cs3Bi2I9 layered single crystals. // Proc. NATO Advanced Research Workshop “Nanostructured materials and coatings for biomedical and sensor applications”. – Kyiv (Ukraine). – 2002, 4-8 August. – P. 117.

  10. Smolanka O. M., Lisitsa M.P., Motsnyi F.V., Peresh E.Yu., Kun A.V., Rushchanskii K.Z. Energy band structure, optical characteristics and exciton states of Cs3Bi2I9 layered single crystals // Тези доповідей 1-ї Української наукової конференції з фізики напівпровідників з міжнародною участю. – Том 1. – Одеса (Україна). – 2002, 10-14 вересня. – С. 92.

  11. Smolanka O. M., Dorogan V.G., Lisitsa M.P., Motsnyi F.V. Method for dividing of optical function spectra into components // Proceedings of the XVI International School-Seminar "Spectroscopy of molecules and crystals". – Sevastopol (Ukraine). – 2003, 25 May–1 June. – P. 346.

  12. Motsnyi O.M., Peresh E.Yu., Smolanka O.M. Physical and optical properties of Cs3Bi2I9 layered single crystals // Тези доповідей IV Міжнародної школи-конференції “Актуальні проблеми фізики напівпровідників”. – Дрогобич (Україна). – 2003, 24-27 червня. – C. 167.

  13. Smolanka O.M. Modeling of optical function spectra of Cs3Bi2I9 based on Van-Hove singularities // Proceedings of the IV International Young Scientists Conference “Problems of Optics & High Technology Material Science SPO-2003”. – Kyiv (Ukraine). – 2003, 23-26 October. – P. 188.

  14. Вуйчик М.В., Мачулін В.Ф., Моцний Ф.В., Переш Є.Ю., Смоланка О.М. Виявлення особливостей в оптичних спектрах сегнетоеластичних кристалів Cs3Bi2I9 // Тези доповідей II Української наукової конференції з фізики напівпровідників. – Том 1. – Чернівці (Україна). – 2004, 20-24 вересня – C. 200.

  15. Motsnyi F.V., Smolanka O.M., Peresh E.Yu. Excitons and structure phase transition in Cs3Bi2I9 layered ferroelastic crystals // Proceedings of the XVII International School-Seminar “Spectroscopy of Molecules and Crystals”. – Beregove, Crimea, (Ukraine). – 2005, 20-26 September. – P. 112–113.